| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD609D |
| EBEE 부품 번호 | E842412126 |
| 패키지 | TO-252-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1131 | $ 0.5655 |
| 50+ | $0.0894 | $ 4.4700 |
| 150+ | $0.0776 | $ 11.6400 |
| 500+ | $0.0687 | $ 34.3500 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0580 | $ 290.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD609D | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel + P-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 17mΩ@10V;40mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W;20W | |
| Drain to Source Voltage | 40V;40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A;12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 620pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@8V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1131 | $ 0.5655 |
| 50+ | $0.0894 | $ 4.4700 |
| 150+ | $0.0776 | $ 11.6400 |
| 500+ | $0.0687 | $ 34.3500 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0580 | $ 290.0000 |
