| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD603 |
| EBEE 부품 번호 | E842412130 |
| 패키지 | TO-252-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1554 | $ 0.7770 |
| 50+ | $0.1220 | $ 6.1000 |
| 150+ | $0.1077 | $ 16.1550 |
| 500+ | $0.0899 | $ 44.9500 |
| 2500+ | $0.0819 | $ 204.7500 |
| 5000+ | $0.0772 | $ 386.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD603 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel + P-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 26mΩ@10V;80mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 45pF;75pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 23W;23W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V;1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A;18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF;1.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 52pF;90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20.3nC@10V;37.6nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1554 | $ 0.7770 |
| 50+ | $0.1220 | $ 6.1000 |
| 150+ | $0.1077 | $ 16.1550 |
| 500+ | $0.0899 | $ 44.9500 |
| 2500+ | $0.0819 | $ 204.7500 |
| 5000+ | $0.0772 | $ 386.0000 |
