| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD50N03 |
| EBEE 부품 번호 | E836499176 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 55A 10mΩ@10V,30A 37.5W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD50N03 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 55A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,30A | |
| 전력 손실(Pd) | 37.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 109pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 940pF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | [email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
