| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD30N10 |
| EBEE 부품 번호 | E842374604 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1363 | $ 0.6815 |
| 50+ | $0.1078 | $ 5.3900 |
| 150+ | $0.0935 | $ 14.0250 |
| 500+ | $0.0828 | $ 41.4000 |
| 2500+ | $0.0742 | $ 185.5000 |
| 5000+ | $0.0700 | $ 350.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD30N10 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 30mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 99pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.857nF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1363 | $ 0.6815 |
| 50+ | $0.1078 | $ 5.3900 |
| 150+ | $0.0935 | $ 14.0250 |
| 500+ | $0.0828 | $ 41.4000 |
| 2500+ | $0.0742 | $ 185.5000 |
| 5000+ | $0.0700 | $ 350.0000 |
