| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD30N06 |
| EBEE 부품 번호 | E836499179 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 30A 30mΩ@10V,15A 55W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0758 | $ 0.3790 |
| 50+ | $0.0627 | $ 3.1350 |
| 150+ | $0.0561 | $ 8.4150 |
| 500+ | $0.0512 | $ 25.6000 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0453 | $ 226.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD30N06 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 30A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A | |
| 전력 손실(Pd) | 55W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 45pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.05nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0758 | $ 0.3790 |
| 50+ | $0.0627 | $ 3.1350 |
| 150+ | $0.0561 | $ 8.4150 |
| 500+ | $0.0512 | $ 25.6000 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0453 | $ 226.5000 |
