| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD20N06 |
| EBEE 부품 번호 | E836499181 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 20A 36mΩ@10V,10A 31W 3V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0742 | $ 0.7420 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0534 | $ 16.0200 |
| 2500+ | $0.0482 | $ 120.5000 |
| 5000+ | $0.0440 | $ 220.0000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD20N06 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 20A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V,10A | |
| 전력 손실(Pd) | 31W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 45.3pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.15nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 20.3nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0742 | $ 0.7420 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0534 | $ 16.0200 |
| 2500+ | $0.0482 | $ 120.5000 |
| 5000+ | $0.0440 | $ 220.0000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
