| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD150N03 |
| EBEE 부품 번호 | E841430584 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 150A 108W 6.5mΩ@4.5V,20A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1338 | $ 0.6690 |
| 50+ | $0.1058 | $ 5.2900 |
| 150+ | $0.0918 | $ 13.7700 |
| 500+ | $0.0813 | $ 40.6500 |
| 2500+ | $0.0729 | $ 182.2500 |
| 5000+ | $0.0687 | $ 343.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD150N03 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 3.3mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 430pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 108W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 150A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.499nF | |
| Gate Charge(Qg) | 37nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1338 | $ 0.6690 |
| 50+ | $0.1058 | $ 5.2900 |
| 150+ | $0.0918 | $ 13.7700 |
| 500+ | $0.0813 | $ 40.6500 |
| 2500+ | $0.0729 | $ 182.2500 |
| 5000+ | $0.0687 | $ 343.5000 |
