| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD13P06 |
| EBEE 부품 번호 | E841416032 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 13A 90mΩ@10V,12A 36W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1107 | $ 0.5535 |
| 50+ | $0.0882 | $ 4.4100 |
| 150+ | $0.0770 | $ 11.5500 |
| 500+ | $0.0685 | $ 34.2500 |
| 2500+ | $0.0618 | $ 154.5000 |
| 5000+ | $0.0584 | $ 292.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD13P06 | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 90mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 49pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.66nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1107 | $ 0.5535 |
| 50+ | $0.0882 | $ 4.4100 |
| 150+ | $0.0770 | $ 11.5500 |
| 500+ | $0.0685 | $ 34.2500 |
| 2500+ | $0.0618 | $ 154.5000 |
| 5000+ | $0.0584 | $ 292.0000 |
