| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD12P10 |
| EBEE 부품 번호 | E841416020 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 12A 54W 200mΩ@10V,5A 3V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1390 | $ 0.6950 |
| 50+ | $0.1108 | $ 5.5400 |
| 150+ | $0.0966 | $ 14.4900 |
| 500+ | $0.0860 | $ 43.0000 |
| 2500+ | $0.0775 | $ 193.7500 |
| 5000+ | $0.0733 | $ 366.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD12P10 | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 200mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 90pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1390 | $ 0.6950 |
| 50+ | $0.1108 | $ 5.5400 |
| 150+ | $0.0966 | $ 14.4900 |
| 500+ | $0.0860 | $ 43.0000 |
| 2500+ | $0.0775 | $ 193.7500 |
| 5000+ | $0.0733 | $ 366.5000 |
