| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DI008N09SQ |
| EBEE 부품 번호 | E86601686 |
| 패키지 | SO-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 90V 8A 75mΩ@10V,5A 2W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | (DIOTEC) DI008N09SQ | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 90V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,5A | |
| 전력 손실(Pd) | 2W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 40pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.1nF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
