| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ASW65R110E |
| EBEE 부품 번호 | E85440019 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 655V 30A 277.8W 110mΩ 4.2V@250uA 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | ANHI ASW65R110E | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 110mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+100℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 6.75pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277.8W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.497nF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
