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ANHI ASU65R1K4E
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ASU65R1K4E |
| EBEE 부품 번호 | E819192892 |
| 패키지 | TO-251 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 655V 4A 28W 1.24Ω 3.5V 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2326 | $ 1.1630 |
| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
| 525+ | $0.1747 | $ 91.7175 |
| 2475+ | $0.1677 | $ 415.0575 |
| 4950+ | $0.1635 | $ 809.3250 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | ANHI ASU65R1K4E | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 1.4Ω@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 238pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.76nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2326 | $ 1.1630 |
| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
| 525+ | $0.1747 | $ 91.7175 |
| 2475+ | $0.1677 | $ 415.0575 |
| 4950+ | $0.1635 | $ 809.3250 |
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