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AGM-Semi AGM628MAP
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | AGM628MAP |
| EBEE 부품 번호 | E822364308 |
| 패키지 | PDFN-8(3.3x3.3) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | 60V 25A 35W 1 N-Channel + 1 P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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4920 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | AGM-Semi AGM628MAP | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 25A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A;44mΩ@10V,15A | |
| 전력 손실(Pd) | 35W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA;1.7V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 0.868nF@30V;0.748nF@30V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 19nC@10V;25nC@10V |
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4920 Stock for Shipping Fast
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
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