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AGM-Semi AGM18N10AP


제조사
제조사 부품 번호
AGM18N10AP
EBEE 부품 번호
E87509649
패키지
PDFN-8(3.3x3.3)
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
100V 35A 45W 17mΩ@10V,12A 1.6V@250uA 1 N-channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
5+$0.1458$ 0.7290
50+$0.1159$ 5.7950
150+$0.1030$ 15.4500
500+$0.0871$ 43.5500
2500+$0.0799$ 199.7500
5000+$0.0757$ 378.5000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트AGM-Semi AGM18N10AP
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃@(Tj)
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)100V
연속 드레인 전류(Id)35A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@10V,12A
전력 손실(Pd)45W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)5.3pF@50V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)12.5nC@10V

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