| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | AGM18N10AP |
| EBEE 부품 번호 | E87509649 |
| 패키지 | PDFN-8(3.3x3.3) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 35A 45W 17mΩ@10V,12A 1.6V@250uA 1 N-channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1458 | $ 0.7290 |
| 50+ | $0.1159 | $ 5.7950 |
| 150+ | $0.1030 | $ 15.4500 |
| 500+ | $0.0871 | $ 43.5500 |
| 2500+ | $0.0799 | $ 199.7500 |
| 5000+ | $0.0757 | $ 378.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | AGM-Semi AGM18N10AP | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 35A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@10V,12A | |
| 전력 손실(Pd) | 45W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 5.3pF@50V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 12.5nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1458 | $ 0.7290 |
| 50+ | $0.1159 | $ 5.7950 |
| 150+ | $0.1030 | $ 15.4500 |
| 500+ | $0.0871 | $ 43.5500 |
| 2500+ | $0.0799 | $ 199.7500 |
| 5000+ | $0.0757 | $ 378.5000 |
