| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | AGM01P15E |
| EBEE 부품 번호 | E820625929 |
| 패키지 | SOT-23-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 4.3A 270mΩ@10V,4A 1.25W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0890 | $ 4.4500 |
| 150+ | $0.0788 | $ 11.8200 |
| 500+ | $0.0711 | $ 35.5500 |
| 3000+ | $0.0650 | $ 195.0000 |
| 6000+ | $0.0619 | $ 371.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | AGM-Semi AGM01P15E | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4.3A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@10V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.25W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.199nF@50V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 19.5nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0890 | $ 4.4500 |
| 150+ | $0.0788 | $ 11.8200 |
| 500+ | $0.0711 | $ 35.5500 |
| 3000+ | $0.0650 | $ 195.0000 |
| 6000+ | $0.0619 | $ 371.4000 |
