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AGM-Semi AGM01P15AP
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | AGM01P15AP |
| EBEE 부품 번호 | E87466531 |
| 패키지 | PDFN3.3x3.3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 10.5A 315mΩ@10V,6A 33W 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
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4848 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1694 | $ 0.8470 |
| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
| 2500+ | $0.0941 | $ 235.2500 |
| 5000+ | $0.0891 | $ 445.5000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | AGM-Semi AGM01P15AP | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 10.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 315mΩ@10V,6A | |
| 전력 손실(Pd) | 33W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 33nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1694 | $ 0.8470 |
| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
| 2500+ | $0.0941 | $ 235.2500 |
| 5000+ | $0.0891 | $ 445.5000 |
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