| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YJD112010DQG2 |
| EBEE部品番号 | E820605590 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252 SiC Diodes ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0888 | $ 2.0888 |
| 10+ | $1.7874 | $ 17.8740 |
| 30+ | $1.5981 | $ 47.9430 |
| 100+ | $1.4041 | $ 140.4100 |
| 500+ | $1.3158 | $ 657.9000 |
| 1000+ | $1.2779 | $ 1277.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DQG2 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 13uA@1200V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.54V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 85A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0888 | $ 2.0888 |
| 10+ | $1.7874 | $ 17.8740 |
| 30+ | $1.5981 | $ 47.9430 |
| 100+ | $1.4041 | $ 140.4100 |
| 500+ | $1.3158 | $ 657.9000 |
| 1000+ | $1.2779 | $ 1277.9000 |
