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HXY MOSFET HC3D10065A
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3D10065A |
| EBEE部品番号 | E819723878 |
| パッケージ | TO-220-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V Independent Type 1.5V@10A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
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35 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7356 | $ 0.7356 |
| 10+ | $0.5952 | $ 5.9520 |
| 50+ | $0.5105 | $ 25.5250 |
| 100+ | $0.4409 | $ 44.0900 |
| 500+ | $0.3992 | $ 199.6000 |
| 1000+ | $0.3771 | $ 377.1000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC3D10065A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 60uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
35 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7356 | $ 0.7356 |
| 10+ | $0.5952 | $ 5.9520 |
| 50+ | $0.5105 | $ 25.5250 |
| 100+ | $0.4409 | $ 44.0900 |
| 500+ | $0.3992 | $ 199.6000 |
| 1000+ | $0.3771 | $ 377.1000 |
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