| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YJD112010DG1 |
| EBEE部品番号 | E82908532 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 1.2kV 1.47V@10A Independent Type 33A TO-252 SiC Diodes ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7421 | $ 5.7421 |
| 10+ | $5.0590 | $ 50.5900 |
| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DG1 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | [email protected] | |
| 逆電圧(Vr) | 1.2kV | |
| ダイオード構成 | Independent Type | |
| フォワード電圧(Vf@If) | 1.47V@10A | |
| 修正電流(Io) | 33A |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7421 | $ 5.7421 |
| 10+ | $5.0590 | $ 50.5900 |
| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
