| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YJD106510DQG2 |
| EBEE部品番号 | E820605567 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252 SiC Diodes ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3064 | $ 1.3064 |
| 10+ | $1.1020 | $ 11.0200 |
| 30+ | $0.9836 | $ 29.5080 |
| 100+ | $0.8515 | $ 85.1500 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD106510DQG2 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 25uA@650V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3064 | $ 1.3064 |
| 10+ | $1.1020 | $ 11.0200 |
| 30+ | $0.9836 | $ 29.5080 |
| 100+ | $0.8515 | $ 85.1500 |
