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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF


メーカー
メーカー部品番号
NCE30TD60BF
EBEE部品番号
E8502942
パッケージ
TO-220F-3
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
35.5W 60A 600V TO-220F-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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203 在庫あり 即時出荷可能
203 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$1.4822$ 1.4822
10+$1.2683$ 12.6830
50+$1.1524$ 57.6200
100+$1.0183$ 101.8300
500+$0.9604$ 480.2000
1000+$0.9332$ 933.2000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
すべて選択
カテゴリトランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール
データシートWuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF
RoHS
動作温度-55℃~+150℃@(Tj)
タイプ-
コレクター電流(Ic)60A
パワーディシパテーション(Pd)35.5W
ターン?オフ遅延時間(Td(オフ))166ns
ターン?遅延時間(Td(on))19ns
コレクター-エミッター故障電圧(Vces)600V
入力容量(Cies@Vce)3.552nF@25V
ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic)5V@1mA
トータルゲートチャージ(Qg@Ic,Vge)132nC@30A,15V
ダイオードの逆の回復時間(Trr)178ns
ターン?オフスイッチング損失(Eoff)0.32mJ
ターン?スイッチング損失(Eon)0.36mJ
コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic,Vge)1.7V@30A,15V
ダイオード前方電圧(Vf@If)1.7V@30A

ショッピングガイド

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