| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ESJ100SH60N |
| EBEE部品番号 | E837635852 |
| パッケージ | FD7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | FD7 IGBT Transistors / Modules ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | MASPOWER ESJ100SH60N | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+125℃ | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 600V | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 3.5V@250uA | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 560nC@15V | |
| Td(off) | 250ns | |
| Td(on) | 120ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 280pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 180ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.9mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.85nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 780pF |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
