| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NCE30P12S |
| EBEE部品番号 | E8167515 |
| パッケージ | SOIC-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | 30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 Piece P-Channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 30V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 12A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 25mΩ@4.5V,7A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 3W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 180pF | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.75nF@15V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 24nC |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
