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GOFORD G12P10KE-B
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | G12P10KE-B |
| EBEE部品番号 | E822362828 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-252 MOSFETs ROHS |
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75 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | GOFORD G12P10KE-B | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 350mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 44.6W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.652nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 42pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
ショッピングガイド
展開
75 Stock for Shipping Fast
75 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
| 500+ | $0.0431 | $ 21.5500 |
| 2500+ | $0.0403 | $ 100.7500 |
| 5000+ | $0.0382 | $ 191.0000 |
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