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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CS7N65FA9R |
| EBEE部品番号 | E8140750 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 7A 35W 1.2Ω@10V,3.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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1 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3868 | $ 0.3868 |
| 10+ | $0.3002 | $ 3.0020 |
| 50+ | $0.2646 | $ 13.2300 |
| 100+ | $0.2182 | $ 21.8200 |
| 500+ | $0.1981 | $ 99.0500 |
| 1000+ | $0.1857 | $ 185.7000 |
| 2000+ | $0.1826 | $ 365.2000 |
| 4000+ | $0.1811 | $ 724.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.4Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 93pF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
ショッピングガイド
展開
1 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3868 | $ 0.3868 |
| 10+ | $0.3002 | $ 3.0020 |
| 50+ | $0.2646 | $ 13.2300 |
| 100+ | $0.2182 | $ 21.8200 |
| 500+ | $0.1981 | $ 99.0500 |
| 1000+ | $0.1857 | $ 185.7000 |
| 2000+ | $0.1826 | $ 365.2000 |
| 4000+ | $0.1811 | $ 724.4000 |
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