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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS6N80ARR-G
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CS6N80ARR-G |
| EBEE部品番号 | E82832481 |
| パッケージ | TO-262-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 800V 6A 1.8Ω@10V,3A 180W 4V@250uA TO-262-3 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5703 | $ 0.5703 |
| 10+ | $0.4632 | $ 4.6320 |
| 50+ | $0.4089 | $ 20.4450 |
| 100+ | $0.3561 | $ 35.6100 |
| 500+ | $0.3244 | $ 162.2000 |
| 1000+ | $0.3078 | $ 307.8000 |
| 2000+ | $0.3033 | $ 606.6000 |
| 4000+ | $0.3018 | $ 1207.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS6N80ARR-G | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2.2Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.556nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 28.4nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5703 | $ 0.5703 |
| 10+ | $0.4632 | $ 4.6320 |
| 50+ | $0.4089 | $ 20.4450 |
| 100+ | $0.3561 | $ 35.6100 |
| 500+ | $0.3244 | $ 162.2000 |
| 1000+ | $0.3078 | $ 307.8000 |
| 2000+ | $0.3033 | $ 606.6000 |
| 4000+ | $0.3018 | $ 1207.2000 |
