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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A3R
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CS4N60A3R |
| EBEE部品番号 | E8140732 |
| パッケージ | TO-251 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 600V 4A 2.5Ω@10V,2A 75W 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
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2 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2488 | $ 0.2488 |
| 10+ | $0.1971 | $ 1.9710 |
| 30+ | $0.1749 | $ 5.2470 |
| 75+ | $0.1473 | $ 11.0475 |
| 525+ | $0.1350 | $ 70.8750 |
| 975+ | $0.1276 | $ 124.4100 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A3R | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2.5Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 14.5nC@10V |
ショッピングガイド
展開
2 Stock for Shipping Fast
2 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2488 | $ 0.2488 |
| 10+ | $0.1971 | $ 1.9710 |
| 30+ | $0.1749 | $ 5.2470 |
| 75+ | $0.1473 | $ 11.0475 |
| 525+ | $0.1350 | $ 70.8750 |
| 975+ | $0.1276 | $ 124.4100 |
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