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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A4H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CS1N60A4H |
| EBEE部品番号 | E8162383 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 600V 800mA 25W 15Ω@10V,400mA 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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260 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1615 | $ 0.8075 |
| 50+ | $0.1280 | $ 6.4000 |
| 150+ | $0.1136 | $ 17.0400 |
| 500+ | $0.0956 | $ 47.8000 |
| 2500+ | $0.0876 | $ 219.0000 |
| 5000+ | $0.0828 | $ 414.0000 |
| 10000+ | $0.0818 | $ 818.0000 |
| 20000+ | $0.0812 | $ 1624.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A4H | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 15Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 10.7pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10.7pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@10V |
ショッピングガイド
展開
260 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1615 | $ 0.8075 |
| 50+ | $0.1280 | $ 6.4000 |
| 150+ | $0.1136 | $ 17.0400 |
| 500+ | $0.0956 | $ 47.8000 |
| 2500+ | $0.0876 | $ 219.0000 |
| 5000+ | $0.0828 | $ 414.0000 |
| 10000+ | $0.0818 | $ 818.0000 |
| 20000+ | $0.0812 | $ 1624.0000 |
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