| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CS12N60FA9R |
| EBEE部品番号 | E8162373 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 600V 12A 42W 750mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4331 | $ 0.4331 |
| 10+ | $0.3839 | $ 3.8390 |
| 50+ | $0.3601 | $ 18.0050 |
| 100+ | $0.3363 | $ 33.6300 |
| 500+ | $0.3221 | $ 161.0500 |
| 1000+ | $0.3141 | $ 314.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS12N60FA9R | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 750mΩ@10V | |
| 動作温度 - | - | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 42W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.98nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4331 | $ 0.4331 |
| 10+ | $0.3839 | $ 3.8390 |
| 50+ | $0.3601 | $ 18.0050 |
| 100+ | $0.3363 | $ 33.6300 |
| 500+ | $0.3221 | $ 161.0500 |
| 1000+ | $0.3141 | $ 314.1000 |
