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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS10N65FA9R
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CS10N65FA9R |
| EBEE部品番号 | E8115511 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 10A 1Ω@10V,5A 40W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6819 | $ 0.6819 |
| 10+ | $0.5501 | $ 5.5010 |
| 50+ | $0.4827 | $ 24.1350 |
| 100+ | $0.4168 | $ 41.6800 |
| 500+ | $0.3785 | $ 189.2500 |
| 1000+ | $0.3570 | $ 357.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS10N65FA9R | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1Ω@10V | |
| 動作温度 - | - | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.642nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 128pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6819 | $ 0.6819 |
| 10+ | $0.5501 | $ 5.5010 |
| 50+ | $0.4827 | $ 24.1350 |
| 100+ | $0.4168 | $ 41.6800 |
| 500+ | $0.3785 | $ 189.2500 |
| 1000+ | $0.3570 | $ 357.0000 |
