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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS100N03B4
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CS100N03B4 |
| EBEE部品番号 | E8162364 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 100A 100W 5.3mΩ@10V,50A 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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3 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3000 | $ 0.3000 |
| 10+ | $0.2377 | $ 2.3770 |
| 30+ | $0.2109 | $ 6.3270 |
| 100+ | $0.1776 | $ 17.7600 |
| 500+ | $0.1627 | $ 81.3500 |
| 1000+ | $0.1538 | $ 153.8000 |
| 2500+ | $0.1520 | $ 380.0000 |
| 5000+ | $0.1507 | $ 753.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS100N03B4 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 8mΩ@5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 300pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 350pF | |
| Gate Charge(Qg) | 68nC@10V |
ショッピングガイド
展開
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3000 | $ 0.3000 |
| 10+ | $0.2377 | $ 2.3770 |
| 30+ | $0.2109 | $ 6.3270 |
| 100+ | $0.1776 | $ 17.7600 |
| 500+ | $0.1627 | $ 81.3500 |
| 1000+ | $0.1538 | $ 153.8000 |
| 2500+ | $0.1520 | $ 380.0000 |
| 5000+ | $0.1507 | $ 753.5000 |
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