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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | BT25T120CKR |
| EBEE部品番号 | E8696830 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 208W 50A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8783 | $ 1.8783 |
| 10+ | $1.6250 | $ 16.2500 |
| 30+ | $1.4657 | $ 43.9710 |
| 100+ | $1.3028 | $ 130.2800 |
| 500+ | $1.2287 | $ 614.3500 |
| 1000+ | $1.1961 | $ 1196.1000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | - | |
| タイプ | - | |
| コレクター電流(Ic) | 50A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 208W | |
| ターン?オフ遅延時間(Td(オフ)) | 198ns | |
| ターン?遅延時間(Td(on)) | 34ns | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 1.2kV | |
| 入力容量(Cies@Vce) | 2.37nF@30V | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 5.8V@250uA | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Ic,Vge) | 145nC@25A,15V | |
| ダイオードの逆の回復時間(Trr) | - | |
| ターン?オフスイッチング損失(Eoff) | 0.95mJ | |
| ターン?スイッチング損失(Eon) | 1.88mJ | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic,Vge) | 1.95V@25A,15V | |
| ダイオード前方電圧(Vf@If) | 2.7V@25A |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8783 | $ 1.8783 |
| 10+ | $1.6250 | $ 16.2500 |
| 30+ | $1.4657 | $ 43.9710 |
| 100+ | $1.3028 | $ 130.2800 |
| 500+ | $1.2287 | $ 614.3500 |
| 1000+ | $1.1961 | $ 1196.1000 |
