| メーカー | |
| メーカー部品番号 | WPM3028B-8/TR |
| EBEE部品番号 | E82879855 |
| パッケージ | PDFN3333-8L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | 30V 36A 36W 8.4mΩ@10V,12A 1V@250uA PDFN-8L(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2566 | $ 1.2830 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1811 | $ 27.1650 |
| 500+ | $0.1529 | $ 76.4500 |
| 2500+ | $0.1403 | $ 350.7500 |
| 5000+ | $0.1327 | $ 663.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | WILLSEMI(Will Semicon) WPM3028B-8/TR | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 22mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 271pF | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.995nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 355pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38.5nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2566 | $ 1.2830 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1811 | $ 27.1650 |
| 500+ | $0.1529 | $ 76.4500 |
| 2500+ | $0.1403 | $ 350.7500 |
| 5000+ | $0.1327 | $ 663.5000 |
