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WILLSEMI(Will Semicon) WNM6012-3/TR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | WNM6012-3/TR |
| EBEE部品番号 | E82941870 |
| パッケージ | DFN1006-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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4800 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0635 | $ 0.6350 |
| 100+ | $0.0506 | $ 5.0600 |
| 300+ | $0.0442 | $ 13.2600 |
| 1000+ | $0.0393 | $ 39.3000 |
| 5000+ | $0.0354 | $ 177.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6012-3/TR | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 24Ω@2.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.008W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 250mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.4pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 2.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.4nC@10V |
ショッピングガイド
展開
4800 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0635 | $ 0.6350 |
| 100+ | $0.0506 | $ 5.0600 |
| 300+ | $0.0442 | $ 13.2600 |
| 1000+ | $0.0393 | $ 39.3000 |
| 5000+ | $0.0354 | $ 177.0000 |
| 10000+ | $0.0335 | $ 335.0000 |
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