| メーカー | |
| メーカー部品番号 | WNM6002-3/TR |
| EBEE部品番号 | E8501342 |
| パッケージ | SOT-323 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 60V 300mA 2Ω@10V,370mA 370mW 2V@250uA 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0341 | $ 0.6820 |
| 200+ | $0.0277 | $ 5.5400 |
| 600+ | $0.0242 | $ 14.5200 |
| 3000+ | $0.0221 | $ 66.3000 |
| 9000+ | $0.0202 | $ 181.8000 |
| 21000+ | $0.0193 | $ 405.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6002-3/TR | |
| RoHS | ||
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 1.7Ω@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 300mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 23.37pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.2nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0341 | $ 0.6820 |
| 200+ | $0.0277 | $ 5.5400 |
| 600+ | $0.0242 | $ 14.5200 |
| 3000+ | $0.0221 | $ 66.3000 |
| 9000+ | $0.0202 | $ 181.8000 |
| 21000+ | $0.0193 | $ 405.3000 |
