| メーカー | |
| メーカー部品番号 | WCR1K2N65TG |
| EBEE部品番号 | E83445970 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 2.5A 1.05Ω@10V,2.6A 30W 2V@150uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4527 | $ 0.4527 |
| 10+ | $0.3531 | $ 3.5310 |
| 30+ | $0.3108 | $ 9.3240 |
| 100+ | $0.2580 | $ 25.8000 |
| 500+ | $0.2429 | $ 121.4500 |
| 1000+ | $0.2279 | $ 227.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | WEIDA WCR1K2N65TG | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.22Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 0.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 272pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 8.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.4nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4527 | $ 0.4527 |
| 10+ | $0.3531 | $ 3.5310 |
| 30+ | $0.3108 | $ 9.3240 |
| 100+ | $0.2580 | $ 25.8000 |
| 500+ | $0.2429 | $ 121.4500 |
| 1000+ | $0.2279 | $ 227.9000 |
