| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SUP70040E-GE3 |
| EBEE部品番号 | E85932057 |
| パッケージ | TO-220AB |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 120A 125W 4mΩ@10V,20A 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4740 | $ 4.4740 |
| 200+ | $1.7853 | $ 357.0600 |
| 500+ | $1.7268 | $ 863.4000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SUP70040E-GE3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 100V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 120A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 4mΩ@10V,20A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 125W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 165pF@50V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 5.1nF@50V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 120nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4740 | $ 4.4740 |
| 200+ | $1.7853 | $ 357.0600 |
| 500+ | $1.7268 | $ 863.4000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
