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STMicroelectronics STB12NM50T4
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB12NM50T4 |
| EBEE部品番号 | E8495231 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 550V 12A 160W 0.35Ω@10V,6A 5V@50uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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85 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5760 | $ 2.5760 |
| 10+ | $2.2819 | $ 22.8190 |
| 30+ | $2.0975 | $ 62.9250 |
| 100+ | $1.9079 | $ 190.7900 |
| 500+ | $1.8229 | $ 911.4500 |
| 1000+ | $1.7863 | $ 1786.3000 |
| 2000+ | $1.7719 | $ 3543.8000 |
| 4000+ | $1.7614 | $ 7045.6000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB12NM50T4 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 350mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -65℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 550V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 39nC@400V |
ショッピングガイド
展開
85 Stock for Shipping Fast
85 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5760 | $ 2.5760 |
| 10+ | $2.2819 | $ 22.8190 |
| 30+ | $2.0975 | $ 62.9250 |
| 100+ | $1.9079 | $ 190.7900 |
| 500+ | $1.8229 | $ 911.4500 |
| 1000+ | $1.7863 | $ 1786.3000 |
| 2000+ | $1.7719 | $ 3543.8000 |
| 4000+ | $1.7614 | $ 7045.6000 |
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