| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SUM90330E-GE3 |
| EBEE部品番号 | E87325094 |
| パッケージ | TO-263(D2PAk) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 35.1A 125W 37.5mΩ@10V,12.2A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SUM90330E-GE3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 200V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 35.1A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 37.5mΩ@10V,12.2A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 125W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 11pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.172nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 32nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
