| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SUM90100E-GE3 |
| EBEE部品番号 | E83291118 |
| パッケージ | TO-263(D2PAK) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 150A 250W 0.0114Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0237 | $ 3.0237 |
| 200+ | $1.1712 | $ 234.2400 |
| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SUM90100E-GE3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 200V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 150A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.0114Ω@10V,16A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 250W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 12pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 3.93nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 56.7nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0237 | $ 3.0237 |
| 200+ | $1.1712 | $ 234.2400 |
| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
