| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SIHP186N60EF-GE3 |
| EBEE部品番号 | E85900034 |
| パッケージ | TO-220AB |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 18A 193mΩ@10V,9.5A 156W 3V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1494 | $ 5.1494 |
| 200+ | $2.0554 | $ 411.0800 |
| 500+ | $1.9861 | $ 993.0500 |
| 1000+ | $1.9532 | $ 1953.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SIHP186N60EF-GE3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 18A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 193mΩ@10V,9.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 156W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 52pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.081nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 32nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1494 | $ 5.1494 |
| 200+ | $2.0554 | $ 411.0800 |
| 500+ | $1.9861 | $ 993.0500 |
| 1000+ | $1.9532 | $ 1953.2000 |
