| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SIE810DF-T1-E3 |
| EBEE部品番号 | E87011024 |
| パッケージ | PolArPAK-10 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 25A 1.4mΩ@10V,25A 1.3V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7194 | $ 4.7194 |
| 200+ | $1.8839 | $ 376.7800 |
| 500+ | $1.8211 | $ 910.5500 |
| 1000+ | $1.7899 | $ 1789.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SIE810DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 20V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 25A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 1.4mΩ@10V,25A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 5.2W;125W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1000pF@10V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 13nF@10V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 300nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7194 | $ 4.7194 |
| 200+ | $1.8839 | $ 376.7800 |
| 500+ | $1.8211 | $ 910.5500 |
| 1000+ | $1.7899 | $ 1789.9000 |
