| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SIE802DF-T1-E3 |
| EBEE部品番号 | E86816575 |
| パッケージ | PolArPAK-10 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 60A 1.9mΩ@10V,23.6A 2.7V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SIE802DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 30V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 60A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 1.9mΩ@10V,23.6A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 5.2W;125W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 7nF@15V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 160nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
