| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SI8812DB-T2-E1 |
| EBEE部品番号 | E8727314 |
| パッケージ | UFBGA-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 3.2A 59mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1886 | $ 0.1886 |
| 200+ | $0.0730 | $ 14.6000 |
| 500+ | $0.0705 | $ 35.2500 |
| 1000+ | $0.0692 | $ 69.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SI8812DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 20V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 3.2A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 59mΩ@4.5V,1A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 500mW | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 0.14pF@20V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 17nC@8V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1886 | $ 0.1886 |
| 200+ | $0.0730 | $ 14.6000 |
| 500+ | $0.0705 | $ 35.2500 |
| 1000+ | $0.0692 | $ 69.2000 |
