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Vishay Intertech SI8812DB-T2-E1


メーカー
メーカー部品番号
SI8812DB-T2-E1
EBEE部品番号
E8727314
パッケージ
UFBGA-4
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
20V 3.2A 59mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS
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連絡先名
ビジネスメール
会社名
品質
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$0.1886$ 0.1886
200+$0.0730$ 14.6000
500+$0.0705$ 35.2500
1000+$0.0692$ 69.2000
タイプ説明
すべて選択
カテゴリDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
データシートVISHAY SI8812DB-T2-E1
RoHS
動作温度-55℃~+150℃@(Tj)
タイプ1 N-channel
排水源電圧(Vdss)20V
連続的な排水の流れ(Id)3.2A
抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id)59mΩ@4.5V,1A
パワーディシパテーション(Pd)500mW
ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
逆移動容量(Crss@Vds)-
入力容量(Ciss@Vds)0.14pF@20V
トータルゲートチャージ(Qg@Vgs)17nC@8V

ショッピングガイド

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