| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SI2347DS-T1-GE3 |
| EBEE部品番号 | E8145002 |
| パッケージ | SOT-23 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 3.8A 1.2W 0.042Ω@10V,3.8A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2314 | $ 1.1570 |
| 50+ | $0.1878 | $ 9.3900 |
| 150+ | $0.1691 | $ 25.3650 |
| 500+ | $0.1458 | $ 72.9000 |
| 3000+ | $0.1255 | $ 376.5000 |
| 6000+ | $0.1193 | $ 715.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Vishay Intertech SI2347DS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 68mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 73pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 705pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 93pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2314 | $ 1.1570 |
| 50+ | $0.1878 | $ 9.3900 |
| 150+ | $0.1691 | $ 25.3650 |
| 500+ | $0.1458 | $ 72.9000 |
| 3000+ | $0.1255 | $ 376.5000 |
| 6000+ | $0.1193 | $ 715.8000 |
