| メーカー | |
| メーカー部品番号 | Si2318CDS-T1-GE3 |
| EBEE部品番号 | E814498 |
| パッケージ | SOT-23 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 5.6A 1.3W 0.042Ω@10V,5.6A 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1508 | $ 0.7540 |
| 50+ | $0.1241 | $ 6.2050 |
| 150+ | $0.1107 | $ 16.6050 |
| 500+ | $0.1007 | $ 50.3500 |
| 3000+ | $0.0826 | $ 247.8000 |
| 6000+ | $0.0786 | $ 471.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Vishay Intertech Si2318CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 51mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 340pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1508 | $ 0.7540 |
| 50+ | $0.1241 | $ 6.2050 |
| 150+ | $0.1107 | $ 16.6050 |
| 500+ | $0.1007 | $ 50.3500 |
| 3000+ | $0.0826 | $ 247.8000 |
| 6000+ | $0.0786 | $ 471.6000 |
