| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SI2309CDS-T1-GE3 |
| EBEE部品番号 | E810493 |
| パッケージ | SOT-23-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 1.6A 0.345Ω@10V,1.25A 1W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1580 | $ 0.7900 |
| 50+ | $0.1256 | $ 6.2800 |
| 150+ | $0.1118 | $ 16.7700 |
| 500+ | $0.0944 | $ 47.2000 |
| 3000+ | $0.0867 | $ 260.1000 |
| 6000+ | $0.0821 | $ 492.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Vishay Intertech SI2309CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 450mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 20pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 210pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 28pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1580 | $ 0.7900 |
| 50+ | $0.1256 | $ 6.2800 |
| 150+ | $0.1118 | $ 16.7700 |
| 500+ | $0.0944 | $ 47.2000 |
| 3000+ | $0.0867 | $ 260.1000 |
| 6000+ | $0.0821 | $ 492.6000 |
