| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SI2303CDS-T1-GE3 |
| EBEE部品番号 | E810489 |
| パッケージ | SOT-23(TO-236) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 2.7A 190mΩ@10V,1.9A 1.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0735 | $ 0.7350 |
| 100+ | $0.0593 | $ 5.9300 |
| 300+ | $0.0522 | $ 15.6600 |
| 3000+ | $0.0449 | $ 134.7000 |
| 6000+ | $0.0406 | $ 243.6000 |
| 9000+ | $0.0385 | $ 346.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Vishay Intertech SI2303CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 330mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | - | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 25pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 155pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0735 | $ 0.7350 |
| 100+ | $0.0593 | $ 5.9300 |
| 300+ | $0.0522 | $ 15.6600 |
| 3000+ | $0.0449 | $ 134.7000 |
| 6000+ | $0.0406 | $ 243.6000 |
| 9000+ | $0.0385 | $ 346.5000 |
