| メーカー | |
| メーカー部品番号 | Si2302CDS-T1-GE3 |
| EBEE部品番号 | E810488 |
| パッケージ | SOT-23 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 2.9A 0.057Ω@4.5V,3.6A 550mW 850mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0757 | $ 0.7570 |
| 100+ | $0.0628 | $ 6.2800 |
| 300+ | $0.0561 | $ 16.8300 |
| 3000+ | $0.0454 | $ 136.2000 |
| 6000+ | $0.0435 | $ 261.0000 |
| 9000+ | $0.0422 | $ 379.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Vishay Intertech Si2302CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 75mΩ@2.5V | |
| 動作温度 - | - | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 550mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 850mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 3.5nC@10V,4.5V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0757 | $ 0.7570 |
| 100+ | $0.0628 | $ 6.2800 |
| 300+ | $0.0561 | $ 16.8300 |
| 3000+ | $0.0454 | $ 136.2000 |
| 6000+ | $0.0435 | $ 261.0000 |
| 9000+ | $0.0422 | $ 379.8000 |
