| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SI1308EDL-T1-GE3 |
| EBEE部品番号 | E8469327 |
| パッケージ | SOT-323 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 1.5A 400mW 0.132Ω@10V,1.4A 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1543 | $ 0.7715 |
| 50+ | $0.1265 | $ 6.3250 |
| 150+ | $0.1126 | $ 16.8900 |
| 500+ | $0.1021 | $ 51.0500 |
| 3000+ | $0.0842 | $ 252.6000 |
| 6000+ | $0.0801 | $ 480.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Vishay Intertech SI1308EDL-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 132mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 400mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 105pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 23pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.4nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1543 | $ 0.7715 |
| 50+ | $0.1265 | $ 6.3250 |
| 150+ | $0.1126 | $ 16.8900 |
| 500+ | $0.1021 | $ 51.0500 |
| 3000+ | $0.0842 | $ 252.6000 |
| 6000+ | $0.0801 | $ 480.6000 |
